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IMCQ120R034M2HXTMA1
MOSFET en carbure de silicium, Simple, Canal N, 64 A, 1.2 kV, 0.034 ohm, HDSOP
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIMCQ120R034M2HXTMA1
Code Commande4695755
Gamme de produitCoolSiC Series
Egalement appeléIMCQ120R034M2H, SP006017347
Fiche technique
450 En Stock
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| Quantité | |
|---|---|
| 1+ | 10,620 € |
| 5+ | 9,420 € |
| 10+ | 7,920 € |
| 50+ | 6,940 € |
| 100+ | 6,290 € |
| 250+ | 6,160 € |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIMCQ120R034M2HXTMA1
Code Commande4695755
Gamme de produitCoolSiC Series
Egalement appeléIMCQ120R034M2H, SP006017347
Fiche technique
Configuration du module MOSFETSimple
Type de canalCanal N
Courant de drain Id64A
Tension Drain-Source Vds1.2kV
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.034ohm
Type de boîtier de transistorHDSOP
Nbre de broches22Broche(s)
Tension de test Rds(on)18V
Tension de seuil Vgs Max5.1V
Dissipation de puissance326W
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produitCoolSiC Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
IMCQ120R034M2HXTMA1 is a N-channel CoolSiC™ 1200V SiC MOSFET G2, ideal for a wide range of applications such as solid-state circuit breakers and relays, EV charging stations, online and industrial UPS systems, string inverters, general-purpose drives (GPD), commercial air vehicles (CAV), and servo drives.
- VDSS = 1200 V at Tvj = 25°C
- IDDC = 45A at TC = 100°C
- RDS(on) = 34mohm at VGS = 18V, Tvj = 25°C
- Very low switching losses
- Overload operation up to Tvj = 200°C
- Short circuit withstand time of 2µs
- Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.2 V
- Robust against parasitic turn on, 0 V turn-off gate voltage can be applied
- Robust body diode for hard commutation
- .XT interconnection technology for best-in-class thermal performance
Spécifications techniques
Configuration du module MOSFET
Simple
Courant de drain Id
64A
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.034ohm
Nbre de broches
22Broche(s)
Tension de seuil Vgs Max
5.1V
Température d'utilisation Max.
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Type de canal
Canal N
Tension Drain-Source Vds
1.2kV
Type de boîtier de transistor
HDSOP
Tension de test Rds(on)
18V
Dissipation de puissance
326W
Gamme de produit
CoolSiC Series
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00001
Traçabilité des produits