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IPB107N20N3GATMA1
MOSFET de puissance, Canal N, 200 V, 88 A, 0.0107 ohm, TO-263 (D2PAK), Montage en surface
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 18 semaine(s)
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| Quantité | |
|---|---|
| 1000+ | 2,440 € |
| 3000+ | 2,390 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bobine complète)
Minimum: 1000
Multiple: 1000
2.440,00 € (sans TVA)
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPB107N20N3GATMA1
Code Commande4318825
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds200V
Courant de drain Id88A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0107ohm
Type de boîtier de transistorTO-263 (D2PAK)
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max3V
Dissipation de puissance300W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
88A
Type de boîtier de transistor
TO-263 (D2PAK)
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
300W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
-
Tension Drain-Source Vds
200V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0107ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
3V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00181
Traçabilité des produits