Imprimer la page
IPB180N10S402ATMA1
MOSFET de puissance, Canal N, 100 V, 180 A, 2500 µohm, TO-263 (D2PAK), Montage en surface
Ces images sont uniquement fournies à titre d'illustration. Veuillez consulter la description du produit.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPB180N10S402ATMA1
Code Commande2725842RL
Gamme de produitOptiMOS T2
Egalement appeléIPB180N10S4-02, SP001057184
Fiche technique
4.118 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison EXPRESS le jour ouvrable suivant
Commander avant 17:00
Livraison standard GRATUITE
pour les commandes de 0,00 € et plus
Les délais de livraison exacts seront calculés lors du paiement
| Quantité | |
|---|---|
| 100+ | 2,800 € |
| 500+ | 2,600 € |
| 1000+ | 2,110 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 100
Multiple: 1
285,00 € (sans TVA)
Des frais de mise en bobine de 5,00 € seront appliqués pour ce produit
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPB180N10S402ATMA1
Code Commande2725842RL
Gamme de produitOptiMOS T2
Egalement appeléIPB180N10S4-02, SP001057184
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds100V
Courant de drain Id180A
Résistance Drain-Source à l'état-ON2500µohm
Type de boîtier de transistorTO-263 (D2PAK)
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max2.7V
Dissipation de puissance300W
Nbre de broches7Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produitOptiMOS T2
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
180A
Type de boîtier de transistor
TO-263 (D2PAK)
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
300W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
100V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
2500µohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
2.7V
Nbre de broches
7Broche(s)
Gamme de produit
OptiMOS T2
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour IPB180N10S402ATMA1
4 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0003
Traçabilité des produits