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IPB60R040C7ATMA1
MOSFET de puissance, Canal N, 600 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK), Montage en surface
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPB60R040C7ATMA1
Code Commande2986461RL
Gamme de produitCoolMOS C7
Egalement appeléIPB60R040C7, SP001277610
Fiche technique
2.315 En Stock
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| Quantité | |
|---|---|
| 10+ | 6,780 € |
| 50+ | 6,110 € |
| 100+ | 5,060 € |
| 250+ | 5,040 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 10
Multiple: 1
72,80 € (sans TVA)
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPB60R040C7ATMA1
Code Commande2986461RL
Gamme de produitCoolMOS C7
Egalement appeléIPB60R040C7, SP001277610
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds600V
Courant de drain Id50A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.04ohm
Type de boîtier de transistorTO-263 (D2PAK)
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max3.5V
Dissipation de puissance227W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitCoolMOS C7
Qualification-
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
Transistor de puissance 600V CoolMOS™ C7, une technologie révolutionnaire pour les MOSFET de puissance haute tension. Conçu selon le principe de superjonction (SJ) convient pour une utilisation dans les étages PFC et les étages PWM (TTF, LLC) pour SMPS haute puissance/performance, par ex. en informatique, serveur, télécom, onduleur et solaire.
- Convient pour la commutation dure et douce (PFC et LLC haute performance)
- Augmente la robustesse du MOSFET dv/dt à 120V/ns
- Meilleur RDS(on)/package de sa catégorie
- Qualifié pour les applications industrielles selon les normes JEDEC (J-STD20 et JESD22)
- Économies d'échelle accrues grâce à l'utilisation dans les topologies PFC et PWM dans l'application
- Une limite dv/dt plus élevée permet une commutation plus rapide conduisant à une efficacité plus élevée
- Permettre une plus grande efficacité du système en réduisant les pertes de commutation
- Solutions de densité de puissance accrue grâce à des boîtiers plus petits
- Fréquences de commutation plus élevées possibles sans perte d'efficacité en raison des faibles Eoss et Qg
Avertissements
La demande du marché pour ce produit a entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent fluctuer. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
50A
Type de boîtier de transistor
TO-263 (D2PAK)
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
227W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
600V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.04ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
3.5V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
CoolMOS C7
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.004536
Traçabilité des produits