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IPB60R190C6ATMA1
MOSFET de puissance, Canal N, 600 V, 20.2 A, 0.17 ohm, TO-263 (D2PAK), Montage en surface
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPB60R190C6ATMA1
Code Commande1860814
Gamme de produitCoolMOS
Egalement appeléIPB60R190C6, SP000641916
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds600V
Courant de drain Id20.2A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.17ohm
Type de boîtier de transistorTO-263 (D2PAK)
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max3V
Dissipation de puissance151W
Nbre de broches2Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitCoolMOS
Qualification-
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
20.2A
Type de boîtier de transistor
TO-263 (D2PAK)
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
151W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
600V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.17ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
3V
Nbre de broches
2Broche(s)
Gamme de produit
CoolMOS
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (1)
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Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00143
Traçabilité des produits