Imprimer la page
Ces images sont uniquement fournies à titre d'illustration. Veuillez consulter la description du produit.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD11DP10NMATMA1
Code Commande3873723RL
Gamme de produitOptiMOS Series
Egalement appeléSP001656992, IPD11DP10NM
Fiche technique
1.290 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison sous 1 à 2 jours ouvrables
Commandez avant 17h00 pour bénéficier de l’expédition standard
Quantité | |
---|---|
100+ | 0,821 € |
500+ | 0,653 € |
1000+ | 0,599 € |
5000+ | 0,518 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 100
Multiple: 1
87,10 € (sans TVA)
Des frais de mise en bobine de 5,00 € seront appliqués pour ce produit
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD11DP10NMATMA1
Code Commande3873723RL
Gamme de produitOptiMOS Series
Egalement appeléSP001656992, IPD11DP10NM
Fiche technique
Polarité transistorCanal P
Type de canalCanal P
Tension Drain-Source Vds100V
Courant de drain Id22A
Résistance Rds(on)0.0889ohm
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0889ohm
Type de boîtier de transistorTO-252 (DPAK)
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max3V
Dissipation de puissance Pd125W
Dissipation de puissance125W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produitOptiMOS Series
Qualification-
Normes Qualification Automobile-
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Polarité transistor
Canal P
Tension Drain-Source Vds
100V
Résistance Rds(on)
0.0889ohm
Type de boîtier de transistor
TO-252 (DPAK)
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance Pd
125W
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
OptiMOS Series
Normes Qualification Automobile
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Type de canal
Canal P
Courant de drain Id
22A
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0889ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
3V
Dissipation de puissance
125W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0003
Traçabilité des produits