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IPD85P04P4L06ATMA1
MOSFET de puissance, Canal P, 40 V, 85 A, 6400 µohm, TO-252 (DPAK), Montage en surface
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD85P04P4L06ATMA1
Code Commande4384138
Gamme de produitOptiMOS P2 Series
Fiche technique
Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD85P04P4L06ATMA1
Code Commande4384138
Gamme de produitOptiMOS P2 Series
Fiche technique
Type de canalCanal P
Tension Drain-Source Vds40V
Courant de drain Id85A
Résistance Drain-Source à l'état-ON6400µohm
Type de boîtier de transistorTO-252 (DPAK)
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max1.7V
Dissipation de puissance88W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produitOptiMOS P2 Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Produits de remplacement pour IPD85P04P4L06ATMA1
1 produit trouvé
Spécifications techniques
Type de canal
Canal P
Courant de drain Id
85A
Type de boîtier de transistor
TO-252 (DPAK)
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
88W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
AEC-Q101
Tension Drain-Source Vds
40V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
6400µohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
1.7V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
OptiMOS P2 Series
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2018)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000402
Traçabilité des produits