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IPG20N06S2L35AATMA1
MOSFET double, Canal N, 55 V, 55 V, 20 A, 20 A, 0.028 ohm
Ces images sont uniquement fournies à titre d'illustration. Veuillez consulter la description du produit.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPG20N06S2L35AATMA1
Code Commande2781206RL
Gamme de produitOptiMOS Series
Egalement appeléIPG20N06S2L-35A, SP001023838
Fiche technique
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 14 semaine(s)
| Quantité | |
|---|---|
| 5000+ | 0,459 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 5000
Multiple: 5000
2.300,00 € (sans TVA)
Des frais de mise en bobine de 5,00 € seront appliqués pour ce produit
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPG20N06S2L35AATMA1
Code Commande2781206RL
Gamme de produitOptiMOS Series
Egalement appeléIPG20N06S2L-35A, SP001023838
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain Source Vds, Canal N55V
Tension drain source Vds, Canal P55V
Courant de drain continu Id, Canal N20A
Courant de drain continu Id, Canal P20A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N0.028ohm
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P0.028ohm
Type de boîtier de transistorTDSON
Nombre de broches8Broche(s)
Dissipation de puissance Canal P65W
Dissipation de puissance, Canal P65W
Température de fonctionnement max..175°C
Gamme de produitOptiMOS Series
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
- Transistor de puissance OptiMOS -T2
- Double canal N, niveau logique, mode d'amélioration
- Automobile AEC Q101 qualifié
- Température de fonctionnement 175°C
- Testé à 100% contre les avalanches
- Faisable pour l'inspection optique automatique (AOI)
Avertissements
La demande du marché pour ce produit a entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent fluctuer. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Tension drain source Vds, Canal P
55V
Courant de drain continu Id, Canal P
20A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P
0.028ohm
Nombre de broches
8Broche(s)
Dissipation de puissance, Canal P
65W
Gamme de produit
OptiMOS Series
MSL
MSL 1 - Illimité
Tension Drain Source Vds, Canal N
55V
Courant de drain continu Id, Canal N
20A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N
0.028ohm
Type de boîtier de transistor
TDSON
Dissipation de puissance Canal P
65W
Température de fonctionnement max..
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000643