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IPP041N04NGXKSA1
MOSFET de puissance, Canal N, 40 V, 80 A, 0.0033 ohm, TO-220, Traversant
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPP041N04NGXKSA1
Code Commande1775620
Egalement appeléIPP041N04N G, SP000680790
Fiche technique
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPP041N04NGXKSA1
Code Commande1775620
Egalement appeléIPP041N04N G, SP000680790
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds40V
Courant de drain Id80A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0033ohm
Type de boîtier de transistorTO-220
Montage transistorTraversant
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max2V
Dissipation de puissance94W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
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Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
80A
Type de boîtier de transistor
TO-220
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
94W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
40V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0033ohm
Montage transistor
Traversant
Tension de seuil Vgs Max
2V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
-
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Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.002
Traçabilité des produits