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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPP082N10NF2SAKMA1
Code Commande3680231
Gamme de produitStrongIRFET 2
Egalement appeléIPP082N10NF2S, SP005548849
Fiche technique
922 En Stock
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Quantité | |
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1+ | 2,020 € |
10+ | 0,681 € |
100+ | 0,673 € |
500+ | 0,647 € |
1000+ | 0,621 € |
5000+ | 0,595 € |
Prix pour :Pièce
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPP082N10NF2SAKMA1
Code Commande3680231
Gamme de produitStrongIRFET 2
Egalement appeléIPP082N10NF2S, SP005548849
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds100V
Courant de drain Id77A
Résistance Drain-Source à l'état-ON7300µohm
Type de boîtier de transistorTO-220
Montage transistorTraversant
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max3V
Dissipation de puissance100W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produitStrongIRFET 2
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
77A
Type de boîtier de transistor
TO-220
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
100W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
-
Tension Drain-Source Vds
100V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
7300µohm
Montage transistor
Traversant
Tension de seuil Vgs Max
3V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
StrongIRFET 2
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.002
Traçabilité des produits