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IPP65R090CFD7XKSA1
MOSFET de puissance, Canal N, 650 V, 25 A, 0.068 ohm, TO-220, Traversant
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPP65R090CFD7XKSA1
Code Commande3665084
Gamme de produitCoolMOS CFD7 SJ
Egalement appeléIPP65R090CFD7, SP005413363
Fiche technique
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPP65R090CFD7XKSA1
Code Commande3665084
Gamme de produitCoolMOS CFD7 SJ
Egalement appeléIPP65R090CFD7, SP005413363
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds650V
Courant de drain Id25A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.068ohm
Type de boîtier de transistorTO-220
Montage transistorTraversant
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max4V
Dissipation de puissance127W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitCoolMOS CFD7 SJ
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
25A
Type de boîtier de transistor
TO-220
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
127W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
Tension Drain-Source Vds
650V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.068ohm
Montage transistor
Traversant
Tension de seuil Vgs Max
4V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
CoolMOS CFD7 SJ
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000001
Traçabilité des produits