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IPS70R600P7SAKMA1
MOSFET de puissance, Canal N, 700 V, 8.5 A, 0.49 ohm, TO-251, Traversant
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPS70R600P7SAKMA1
Code Commande2986485
Gamme de produitCoolMOS P7
Egalement appeléIPS70R600P7S, SP001499714
Fiche technique
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPS70R600P7SAKMA1
Code Commande2986485
Gamme de produitCoolMOS P7
Egalement appeléIPS70R600P7S, SP001499714
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds700V
Courant de drain Id8.5A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.49ohm
Type de boîtier de transistorTO-251
Montage transistorTraversant
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max3V
Dissipation de puissance43.1W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitCoolMOS P7
Qualification-
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
8.5A
Type de boîtier de transistor
TO-251
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
43.1W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
700V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.49ohm
Montage transistor
Traversant
Tension de seuil Vgs Max
3V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
CoolMOS P7
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour IPS70R600P7SAKMA1
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00001