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50+ | 2,090 € |
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500+ | 1,970 € |
1000+ | 1,940 € |
Informations produit
Aperçu du produit
Le IR2113PBF est un MOSFET de puissance haute tension haute vitesse et Driver d'IGBT avec des canaux de sortie indépendants - côté haute et basse référencés. Les technologies HVIC exclusives et les technologies à base de verrouillage HMC permettent une construction monolithique robuste. Les entrées logiques sont compatibles avec les sorties standard CMOS ou LSTTL et jusqu'à une logique de 3,3 V. Les Drivers de sortie disposent d'un étage tampon pour les courants haute impulsion conçu pour les Drivers transversale avec conduction minimale Les délais de propagation sont adaptés pour simplifier l'utilisation dans les applications haute fréquence. Le canal flottant peut être utilisé pour piloter un MOSFET de puissance canal N ou un IGBT dans une configuration High-Side qui fonctionne de 500 à 600 V.
- Tolérance à une tension transitoire négative DV/DT Immune
- Verrouillage en cas de sous-tension pour les deux canaux
- Entrées CMOS Trigger de Schmitt avec pull-down
- Arrêt logique déclenchement sur front cycle par cycle
- Retard de propagation équilibré pour les deux canaux
- Sorties en phase avec les entrées
Spécifications techniques
2Canal(aux)
High Side et Low Side
14Broche(s)
Traversant
2A
10V
-40°C
120ns
-
-
-
IGBT / MOSFET
DIP
Non Inverseur
2A
20V
125°C
94ns
-
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (3)
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Législation et Questions environnementales
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
RoHS
RoHS
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