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IRF1404STRLPBF
MOSFET de puissance, Canal N, 40 V, 162 A, 0.0035 ohm, TO-263 (D2PAK), Montage en surface
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| Quantité | |
|---|---|
| 100+ | 1,280 € |
| 500+ | 1,150 € |
| 1000+ | 0,911 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 100
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRF1404STRLPBF
Code Commande2777397RL
Gamme de produitHEXFET
Egalement appeléSP001570024
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Vds max..40V
Courant de drain Id162A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0035ohm
Type de boîtier de transistorTO-263 (D2PAK)
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max4V
Dissipation de puissance200W
Nombre de broches3Broche(s)
Température de fonctionnement max..175°C
Gamme de produitHEXFET
Qualification-
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
162A
Type de boîtier de transistor
TO-263 (D2PAK)
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
200W
Température de fonctionnement max..
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Vds max..
40V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0035ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
4V
Nombre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
HEXFET
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00186