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IRF6775MTRPBF
MOSFET de puissance, Canal N, 150 V, 28 A, 0.047 ohm, DirectFET MZ, Montage en surface
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| Quantité | |
|---|---|
| 100+ | 0,889 € |
| 500+ | 0,729 € |
| 1000+ | 0,634 € |
| 5000+ | 0,616 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 100
Multiple: 1
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRF6775MTRPBF
Code Commande2725895RL
Gamme de produitHEXFET
Egalement appeléSP001562042
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Vds max..150V
Courant de drain Id28A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.047ohm
Type de boîtier de transistorDirectFET MZ
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max5V
Dissipation de puissance89W
Nombre de broches7Broche(s)
Température de fonctionnement max..150°C
Gamme de produitHEXFET
Qualification-
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
28A
Type de boîtier de transistor
DirectFET MZ
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
89W
Température de fonctionnement max..
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Vds max..
150V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.047ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
5V
Nombre de broches
7Broche(s)
Gamme de produit
HEXFET
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Mexico
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Mexico
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000408
Traçabilité des produits