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IRF7739L1TRPBF
MOSFET de puissance, Canal N, 40 V, 375 A, 0.001 ohm, DirectFET L8, Montage en surface
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 20 semaine(s)
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| Quantité | |
|---|---|
| 4000+ | 2,020 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 4000
Multiple: 4000
8.085,00 € (sans TVA)
Des frais de mise en bobine de 5,00 € seront appliqués pour ce produit
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRF7739L1TRPBF
Code Commande2725912RL
Gamme de produitHEXFET
Egalement appeléSP001555546
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds40V
Courant de drain Id375A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.001ohm
Type de boîtier de transistorDirectFET L8
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max2.8V
Dissipation de puissance125W
Nbre de broches15Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produitHEXFET
Qualification-
Aperçu du produit
Single N-channel StrongIRFET™ power MOSFET optimized for low RDS(on) and high current capability. It is ideal for high performance isolated converter primary switch socket. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
- Dual-side cooling capability
- High-current rating and high current carrying capability
- Product qualification according to JEDEC standard
- Industry standard qualification level
- Optimized for synchronous rectification
- Optimum thermal performance
- Compact form factor and high efficiency
- Environmentally friendly
- Low conduction losses
- High Cdv/dt immunity
Avertissements
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
375A
Type de boîtier de transistor
DirectFET L8
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
125W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
40V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.001ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
2.8V
Nbre de broches
15Broche(s)
Gamme de produit
HEXFET
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour IRF7739L1TRPBF
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Mexico
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Mexico
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000242
Traçabilité des produits