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IRF9383MTRPBF
MOSFET de puissance, Canal P, 30 V, 22 A, 0.0023 ohm, DirectFET MX, Montage en surface
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| Quantité | |
|---|---|
| 1+ | 2,410 € |
| 10+ | 2,050 € |
| 100+ | 1,690 € |
| 500+ | 1,370 € |
| 1000+ | 1,150 € |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRF9383MTRPBF
Code Commande2781122
Gamme de produitHEXFET
Egalement appeléSP001565700
Fiche technique
Type de canalCanal P
Tension Vds max..30V
Courant de drain Id22A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0023ohm
Type de boîtier de transistorDirectFET MX
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max1.8V
Dissipation de puissance113W
Nombre de broches5Broche(s)
Température de fonctionnement max..150°C
Gamme de produitHEXFET
Qualification-
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal P
Courant de drain Id
22A
Type de boîtier de transistor
DirectFET MX
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
113W
Température de fonctionnement max..
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Vds max..
30V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0023ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
1.8V
Nombre de broches
5Broche(s)
Gamme de produit
HEXFET
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.001
Traçabilité des produits