Imprimer la page
IRFB3607PBF
MOSFET de puissance, Canal N, 75 V, 80 A, 9000 µohm, TO-220AB, Traversant
Ces images sont uniquement fournies à titre d'illustration. Veuillez consulter la description du produit.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRFB3607PBF
Code Commande1602227
Egalement appeléSP001551746
Fiche technique
3.266 En Stock
2.000 Vous pouvez réserver des unités dès maintenant
Livraison EXPRESS le jour ouvrable suivant
Commander avant 17:00
Livraison standard GRATUITE
pour les commandes de 0,00 € et plus
Les délais de livraison exacts seront calculés lors du paiement
| Quantité | |
|---|---|
| 1+ | 1,380 € |
| 10+ | 1,000 € |
| 100+ | 0,619 € |
| 500+ | 0,501 € |
| 1000+ | 0,458 € |
| 5000+ | 0,422 € |
Prix pour :Pièce
Minimum: 1
Multiple: 1
1,38 € (sans TVA)
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRFB3607PBF
Code Commande1602227
Egalement appeléSP001551746
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds75V
Courant de drain Id80A
Résistance Drain-Source à l'état-ON9000µohm
Type de boîtier de transistorTO-220AB
Montage transistorTraversant
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max4V
Dissipation de puissance140W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
L'IRFB3607PBF est un transistor MOSFET 75V canal N, HEXFET® avec une très faible résistance par zone de silicium et des performances de commutation rapides utilisant la technologie Trench MOSFET. Recommandé pour le redressement synchrone haute efficacité SMPS, les onduleurs, la commutation de puissance à haute vitesse et les circuits haute fréquence.
- Porte améliorée, avalanche et dynamisme dv/dt dynamique
- Capacité entièrement caractérisé et avalanche SOA
- Diode améliorée capacité dV/ dt et dl/dt
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
80A
Type de boîtier de transistor
TO-220AB
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
140W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
75V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
9000µohm
Montage transistor
Traversant
Tension de seuil Vgs Max
4V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
-
Documents techniques (3)
Produits de remplacement pour IRFB3607PBF
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.002795
Traçabilité des produits