Imprimer la page
IRFU3607PBF
MOSFET de puissance, Canal N, 75 V, 56 A, 7340 µohm, TO-251AA, Traversant
Ces images sont uniquement fournies à titre d'illustration. Veuillez consulter la description du produit.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRFU3607PBF
Code Commande1602237
Egalement appeléSP001557738
Fiche technique
2.178 En Stock
6.000 Vous pouvez réserver des unités dès maintenant
.
.
Livraison standard GRATUITE
pour les commandes de 0,00 € et plus
Les délais de livraison exacts seront calculés lors du paiement
| Quantité | |
|---|---|
| 1+ | 0,665 € |
| 10+ | 0,653 € |
| 100+ | 0,652 € |
| 500+ | 0,651 € |
| 1000+ | 0,650 € |
| 5000+ | 0,649 € |
Prix pour :Pièce
Minimum: 1
Multiple: 1
0,66 € (sans TVA)
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRFU3607PBF
Code Commande1602237
Egalement appeléSP001557738
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds75V
Courant de drain Id56A
Résistance Drain-Source à l'état-ON7340µohm
Type de boîtier de transistorTO-251AA
Montage transistorTraversant
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max4V
Dissipation de puissance140W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
L'IRFU3607PBF est un MOSFET de puissance HEXFET®, canal N unique qui offre une capacité entièrement caractérisée et une SOA à avalanche. Il convient au redressement synchrone haute efficacité dans les circuits SMPS, à commutation forcée et à haute fréquence.
- Porte améliorée, avalanche et dynamisme dv/dt dynamique
- Diode améliorée capacité dV/dt et di/dt
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
56A
Type de boîtier de transistor
TO-251AA
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
140W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
75V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
7340µohm
Montage transistor
Traversant
Tension de seuil Vgs Max
4V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Mexico
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Mexico
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.002
Traçabilité des produits