Imprimer la page
IRL3705NPBF
MOSFET de puissance, Canal N, 55 V, 77 A, 0.01 ohm, TO-220AB, Traversant
Ces images sont uniquement fournies à titre d'illustration. Veuillez consulter la description du produit.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRL3705NPBF
Code Commande8651019
Egalement appeléSP001578520
Fiche technique
927 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison EXPRESS le jour ouvrable suivant
Commander avant 17:00
Livraison standard GRATUITE
pour les commandes de 0,00 € et plus
Les délais de livraison exacts seront calculés lors du paiement
| Quantité | |
|---|---|
| 1+ | 1,830 € |
| 10+ | 1,530 € |
| 100+ | 1,060 € |
| 500+ | 0,884 € |
| 1000+ | 0,839 € |
| 5000+ | 0,729 € |
Prix pour :Pièce
Minimum: 1
Multiple: 1
1,83 € (sans TVA)
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRL3705NPBF
Code Commande8651019
Egalement appeléSP001578520
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds55V
Courant de drain Id77A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.01ohm
Type de boîtier de transistorTO-220AB
Montage transistorTraversant
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max2V
Dissipation de puissance130W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
- MOSFET de puissance HEXFET®, canal N simple
- Process Technologie Avancée
- Driver de porte niveau logique
- dV/dt dynamique
- Commutation rapide
- Avalanche complète
- Structure cellulaire planaire pour SOA large
- Qualification des produits selon la norme JEDEC
- Ensemble de capacité de transport de courant élevé (jusqu'à 195 A, en fonction de la taille de la puce)
- Capable d'être soudé à la vague
Avertissements
La demande du marché pour ce produit a entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent fluctuer. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
77A
Type de boîtier de transistor
TO-220AB
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
130W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
55V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.01ohm
Montage transistor
Traversant
Tension de seuil Vgs Max
2V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.002
Traçabilité des produits