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IRLR2703TRPBF
MOSFET de puissance, Canal N, 30 V, 23 A, 0.045 ohm, TO-252AA, Montage en surface
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| Quantité | |
|---|---|
| 100+ | 0,477 € |
| 500+ | 0,371 € |
| 1000+ | 0,345 € |
| 5000+ | 0,338 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 100
Multiple: 5
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRLR2703TRPBF
Code Commande2726014RL
Gamme de produitHEXFET
Egalement appeléSP001567168
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds30V
Courant de drain Id23A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.045ohm
Type de boîtier de transistorTO-252AA
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max1V
Dissipation de puissance45W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produitHEXFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
23A
Type de boîtier de transistor
TO-252AA
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
45W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
30V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.045ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
1V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
HEXFET
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0004
Traçabilité des produits