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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantSN7002NH6327XTSA2
Code Commande2443471
Gamme de produitSipMOS
Egalement appeléSN7002N H6327, SP000929188
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds60V
Courant de drain Id200mA
Résistance Drain-Source à l'état-ON7.5ohm
Type de boîtier de transistorSOT-23
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max1.4V
Dissipation de puissance360mW
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitSipMOS
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
200mA
Type de boîtier de transistor
SOT-23
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
360mW
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
60V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
7.5ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
1.4V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
SipMOS
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (3)
Produits de remplacement pour SN7002NH6327XTSA2
5 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.001361