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SPB11N60C3ATMA1
MOSFET de puissance, Canal N, 650 V, 11 A, 0.38 ohm, TO-263 (D2PAK), Montage en surface
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantSPB11N60C3ATMA1
Code Commande2212858
Egalement appeléSPB11N60C3, SP000013519
Fiche technique
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantSPB11N60C3ATMA1
Code Commande2212858
Egalement appeléSPB11N60C3, SP000013519
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds650V
Courant de drain Id11A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.38ohm
Type de boîtier de transistorTO-263 (D2PAK)
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max3V
Dissipation de puissance125W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
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Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
11A
Type de boîtier de transistor
TO-263 (D2PAK)
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
125W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
650V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.38ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
3V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (1)
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Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00181
Traçabilité des produits