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SPW11N80C3FKSA1
MOSFET de puissance, À usage général, Canal N, 800 V, 11 A, 0.45 ohm, TO-247, Traversant
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantSPW11N80C3FKSA1
Code Commande1201592
Egalement appeléSPW11N80C3, SP000013703
Fiche technique
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|---|---|
| 1+ | 3,130 € |
| 10+ | 2,280 € |
| 100+ | 1,550 € |
| 500+ | 1,310 € |
| 1000+ | 1,280 € |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantSPW11N80C3FKSA1
Code Commande1201592
Egalement appeléSPW11N80C3, SP000013703
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds800V
Courant de drain Id11A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.45ohm
Type de boîtier de transistorTO-247
Montage transistorTraversant
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max3V
Dissipation de puissance156W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
Avertissements
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Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
11A
Type de boîtier de transistor
TO-247
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
156W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
800V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.45ohm
Montage transistor
Traversant
Tension de seuil Vgs Max
3V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Great Britain
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Great Britain
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.014969
Traçabilité des produits