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IS42S16320D-7TLI

DRAM, 32M x 16 bits, 7ns, Interface LVTTL, TSOP-II-54

INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) IS42S16320D-7TLI
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Réf. Fabricant:
IS42S16320D-7TLI
Code Commande :
2253828
Gamme de produits
IS42S
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The IS42S16320D-7TLI is a high speed CMOS, dynamic Random Access Memory (RAM) designed to operate in either 3.3 or 2.5V Vdd/Vddq memory systems, depending on the DRAM option. It is internally configured as a quad-bank DRAM with a synchronous interface. All signals are registered on the positive edge of the clock signal, CLK. All inputs and outputs are LVTTL compatible. The 512Mb SDRAM (536870912-bit) has the ability to synchronously burst data at a high data rate with automatic column-address generation, the ability to interleave between internal banks to hide pre-charge time and the capability to randomly change column addresses on each clock cycle during burst access. A self-timed row pre-charge initiated at the end of the burst sequence is available with the AUTOpre-charge function enabled. Pre-charge one bank while accessing one of the other three banks will hide the pre-charge cycles and provide seamless, high-speed, random-access operation.
  • Clock frequency - 143MHz
  • Fully synchronous, all signals referenced to a positive clock edge
  • Internal bank for hiding row access/pre-charge
  • LVTTL interface
  • Programmable burst length
  • Programmable burst sequence - sequential/interleave
  • Auto refresh (CBR)
  • Self refresh
  • 8K Refresh cycle/64ms
  • Random column address every clock cycle
  • Programmable CAS latency
  • Burst read/write and burst read/single write operations capability
  • Burst termination by burst stop and pre-charge command
  • Speed - 7ns

Applications

Computers & Computer Peripherals, Industrie, Communications et Réseaux, Electronique Grand Public, Automobile, Commercial

Informations produit

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:
SDR

:
512Mbit

:
7ns

:
32M x 16bits

:
54Broche(s)

:
143MHz

:
TSOP-II

:
-40°C

:
3.3V

:
LVTTL

:
85°C

:
IS42S

:
MSL 3 - 168 heures

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