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DSEC60-12A
Diode Fast / U, Diode épitaxiale (HiPerFRED ), 1.2 kV, 30 A, Double cathode commune, 1.78 V, 40 ns
Ces images sont uniquement fournies à titre d'illustration. Veuillez consulter la description du produit.
FabricantIXYS SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantDSEC60-12A
Code Commande1427248
Gamme de produitDSEC6
Fiche technique
353 En Stock
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| Quantité | |
|---|---|
| 1+ | 7,050 € |
| 5+ | 6,440 € |
| 10+ | 5,830 € |
| 50+ | 5,230 € |
| 100+ | 4,620 € |
| 250+ | 4,010 € |
Prix pour :Pièce
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Informations produit
FabricantIXYS SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantDSEC60-12A
Code Commande1427248
Gamme de produitDSEC6
Fiche technique
Tension inverse crête répétitive1.2kV
Courant direct moyen30A
Configuration diodeDouble cathode commune
Tension directe max1.78V
Temps de redressement en inverse40ns
Courant de surtension vers l'avant200A
Température de fonctionnement max..175°C
Type de boîtier de diodeTO-247AD
Nbre de broches3 broches
Gamme de produitDSEC6
Qualification-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Aperçu du produit
The DSEC60-12A is a HiPerFRED™ Epitaxial Diode with common cathode and soft recovery. It is used as an anti-parallel diode for high frequency switching devices, as an anti-saturation diode, as a Snubber diode, freewheeling diode in converters and motor control circuits, rectifiers in switch mode power supplies (SMPS), inductive heating, uninterruptible power supplies (UPS) and ultrasonic cleaners and welders.
- Planar passivated chips
- Very short recovery time
- Extremely low switching losses
- Soft recovery behaviour
- Avalanche voltage rated for reliable operation
- Soft reverse recovery for low EMI/RFI
- Low IRM reduces - Power dissipation within the diode
- Low IRM reduces - Turn-on loss in the commutating switch
- 2 independent FRED in 1 package
Avertissements
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Spécifications techniques
Tension inverse crête répétitive
1.2kV
Configuration diode
Double cathode commune
Temps de redressement en inverse
40ns
Température de fonctionnement max..
175°C
Nbre de broches
3 broches
Qualification
-
Courant direct moyen
30A
Tension directe max
1.78V
Courant de surtension vers l'avant
200A
Type de boîtier de diode
TO-247AD
Gamme de produit
DSEC6
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Germany
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Germany
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (17-Jan-2023)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.006