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IXFH12N100P
MOSFET de puissance, Canal N, 1 kV, 12 A, 1.05 ohm, TO-247, Traversant
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FabricantIXYS SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantIXFH12N100P
Code Commande3438377
Gamme de produitPolar HiPerFET
Fiche technique
557 En Stock
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|---|---|
| 1+ | 8,380 € |
| 5+ | 6,600 € |
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| 50+ | 4,770 € |
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Informations produit
FabricantIXYS SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantIXFH12N100P
Code Commande3438377
Gamme de produitPolar HiPerFET
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds1kV
Courant de drain Id12A
Résistance Drain-Source à l'état-ON1.05ohm
Type de boîtier de transistorTO-247
Montage transistorTraversant
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max6.5V
Dissipation de puissance436W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitPolar HiPerFET
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
12A
Type de boîtier de transistor
TO-247
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
436W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
Tension Drain-Source Vds
1kV
Résistance Drain-Source à l'état-ON
1.05ohm
Montage transistor
Traversant
Tension de seuil Vgs Max
6.5V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
Polar HiPerFET
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :South Korea
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :South Korea
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.004
Traçabilité des produits