Imprimer la page
Ces images sont uniquement fournies à titre d'illustration. Veuillez consulter la description du produit.
68 En Stock
120 Vous pouvez réserver des unités dès maintenant
Livraison EXPRESS le jour ouvrable suivant
Commander avant 17:00
Livraison standard GRATUITE
pour les commandes de 0,00 € et plus
Les délais de livraison exacts seront calculés lors du paiement
Quantité | |
---|---|
1+ | 8,500 € |
5+ | 6,770 € |
10+ | 5,030 € |
50+ | 4,650 € |
100+ | 4,270 € |
250+ | 4,180 € |
Prix pour :Pièce
Minimum: 1
Multiple: 1
8,50 € (sans TVA)
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantIXYS SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantIXFH16N80P
Code Commande1427291
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds800V
Courant de drain Id16A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.6ohm
Type de boîtier de transistorTO-247
Montage transistorTraversant
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max5V
Dissipation de puissance460W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSL-
Aperçu du produit
L'IXFH16N80P est un MOSFET de puissance en mode d'amélioration, canal N, PolarHV™ doté d'une diode de redressement rapide et résistante aux avalanches.
- Commutation inductive non serrée (UIS)
- Boîtier standard international
- Inductance du boîtier faible
- Facile à monter
- Gain de place
- Haute densité de puissance
Avertissements
La forte demande du marché pour ce produit, entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent varier. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
16A
Type de boîtier de transistor
TO-247
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
460W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Tension Drain-Source Vds
800V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.6ohm
Montage transistor
Traversant
Tension de seuil Vgs Max
5V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Germany
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Germany
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (17-Jan-2023)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.012247
Traçabilité des produits