Imprimer la page
IXTH96N20P
MOSFET de puissance, PolarFET, Canal N, 200 V, 96 A, 0.024 ohm, TO-247, Traversant
Ces images sont uniquement fournies à titre d'illustration. Veuillez consulter la description du produit.
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 40 semaine(s)
Contactez-moi quand le produit sera à nouveau en stock
| Quantité | |
|---|---|
| 1+ | 8,350 € |
| 5+ | 7,670 € |
| 10+ | 6,990 € |
| 50+ | 6,320 € |
| 100+ | 5,640 € |
| 250+ | 4,960 € |
Prix pour :Pièce
Minimum: 1
Multiple: 1
8,35 € (sans TVA)
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantIXYS SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantIXTH96N20P
Code Commande1427356
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds200V
Courant de drain Id96A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.024ohm
Type de boîtier de transistorTO-247
Montage transistorTraversant
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max5V
Dissipation de puissance600W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Aperçu du produit
Le IXTH96N20P est un MOSFET de puissance, mode d'amélioration, canal N unique, PolarHT™ offrant une résistance ON drain-source statique réduite et une densité de puissance élevée.
- Boîtier standard international
- Commutation inductive non serrée (UIS)
- Faible inductance du boîtier - Facile à conduire et à protéger
- Facile à monter
- Économie d'espace
- Avalanche évalué
Avertissements
La forte demande du marché pour ce produit, entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent varier. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
96A
Type de boîtier de transistor
TO-247
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
600W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Tension Drain-Source Vds
200V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.024ohm
Montage transistor
Traversant
Tension de seuil Vgs Max
5V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
-
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour IXTH96N20P
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Germany
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Germany
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (17-Jan-2023)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.006
Traçabilité des produits