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IXTP96P085T
MOSFET de puissance, Canal P, 85 V, 96 A, 0.013 ohm, TO-220AB, Traversant
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FabricantIXYS SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantIXTP96P085T
Code Commande3438427
Gamme de produitTrenchP
Fiche technique
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| 1+ | 5,610 € |
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| 50+ | 2,960 € |
| 100+ | 2,940 € |
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Informations produit
FabricantIXYS SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantIXTP96P085T
Code Commande3438427
Gamme de produitTrenchP
Fiche technique
Type de canalCanal P
Tension Drain-Source Vds85V
Courant de drain Id96A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.013ohm
Type de boîtier de transistorTO-220AB
Montage transistorTraversant
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max4V
Dissipation de puissance298W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitTrenchP
Qualification-
SVHCNo SVHC (12-Jan-2017)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal P
Courant de drain Id
96A
Type de boîtier de transistor
TO-220AB
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
298W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
Tension Drain-Source Vds
85V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.013ohm
Montage transistor
Traversant
Tension de seuil Vgs Max
4V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
TrenchP
SVHC
No SVHC (12-Jan-2017)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :South Korea
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :South Korea
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (12-Jan-2017)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.004
Traçabilité des produits