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MDD172-18N1
Module de diode, 1.8 kV, 190 A, 1.07 V, Double Série, Y4, 3 Broche(s)
Ces images sont uniquement fournies à titre d'illustration. Veuillez consulter la description du produit.
Modèle arrêté
Informations produit
FabricantIXYS SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantMDD172-18N1
Code Commande3438474
Fiche technique
Tension inverse crête répétitive1.8kV
Courant direct moyen190A
Tension directe max1.07V
Configuration Module DiodeDouble Série
Type de boîtier de diodeY4
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Courant de surtension vers l'avant6.6kA
Type de montage de diodePanneau
Gamme de produit-
SVHCNo SVHC (12-Jan-2017)
Spécifications techniques
Tension inverse crête répétitive
1.8kV
Tension directe max
1.07V
Type de boîtier de diode
Y4
Température d'utilisation Max.
150°C
Type de montage de diode
Panneau
SVHC
No SVHC (12-Jan-2017)
Courant direct moyen
190A
Configuration Module Diode
Double Série
Nbre de broches
3Broche(s)
Courant de surtension vers l'avant
6.6kA
Gamme de produit
-
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :South Korea
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :South Korea
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (12-Jan-2017)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.05