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IXFX230N20T
MOSFET, N-CH, 200V, 230A, PLUS247
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FabricantLITTELFUSE
Réf. FabricantIXFX230N20T
Code Commande3771250
Gamme de produitGigaMOS Series
Fiche technique
44 En Stock
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| Quantité | |
|---|---|
| 1+ | 23,410 € |
| 5+ | 21,660 € |
| 10+ | 19,930 € |
| 25+ | 18,190 € |
| 100+ | 16,440 € |
| 500+ | 15,550 € |
Prix pour :Pièce
Minimum: 1
Multiple: 1
23,41 € (sans TVA)
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Informations produit
FabricantLITTELFUSE
Réf. FabricantIXFX230N20T
Code Commande3771250
Gamme de produitGigaMOS Series
Fiche technique
Type de canalN Channel
Tension Vds max..200V
Courant de drain Id230A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0075ohm
Type de boîtier de transistorPLUS247
Montage transistorThrough Hole
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max5V
Dissipation de puissance1.67kW
Nombre de broches3Broche(s)
Température de fonctionnement max..175°C
Gamme de produitGigaMOS Series
Qualification-
Spécifications techniques
Type de canal
N Channel
Courant de drain Id
230A
Type de boîtier de transistor
PLUS247
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
1.67kW
Température de fonctionnement max..
175°C
Qualification
-
Tension Vds max..
200V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0075ohm
Montage transistor
Through Hole
Tension de seuil Vgs Max
5V
Nombre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
GigaMOS Series
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :South Korea
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :South Korea
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.010433