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MT25QL01GBBB1EW9-0SIT
Mémoire Flash, NON-OU Série, 1 Gbit, 256M x 4bits, SPI, WPDFN, 8 Broche(s)
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FabricantMICRON
Réf. FabricantMT25QL01GBBB1EW9-0SIT
Code Commande3530753
Gamme de produit3V Serial NOR Flash Memories
Fiche technique
1.185 En Stock
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|---|---|
| 1+ | 10,090 € |
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| 25+ | 9,080 € |
| 50+ | 8,850 € |
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| 250+ | 8,350 € |
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Informations produit
FabricantMICRON
Réf. FabricantMT25QL01GBBB1EW9-0SIT
Code Commande3530753
Gamme de produit3V Serial NOR Flash Memories
Fiche technique
Type de mémoire flashNON-OU Série
Densité de mémoire1Gbit
Configuration mémoire256M x 4bits
InterfacesSPI
IC Boîtier/PaquetWPDFN
Nbre de broches8Broche(s)
Fréquence d'horloge Max.133MHz
Temps d'accès-
Tension, alimentation min.2.7V
Tension d'alimentation Max.3.6V
Tension d'alimentation nominale3V
Montage CIMontage en surface
Température d'utilisation min-40°C
Température d'utilisation Max.85°C
Gamme de produit3V Serial NOR Flash Memories
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Aperçu du produit
MT25QL01GBBB1EW9-0SIT is a serial NOR flash memory. The MT25Q is a high-performance multiple input/output serial flash memory device. It features a high-speed SPI-compatible bus interface, execute-in-place (XIP) functionality, advanced write protection mechanisms, and extended address access. Innovative, high-performance, dual and quad input/output commands enable double or quadruple the transfer bandwidth for READ and PROGRAM operations.
- SPI-compatible serial bus interface, single and double transfer rate (STR/DTR)
- Dual/quad I/O commands for increased throughput up to 90MB/s
- Execute-in-place (XIP), PROGRAM/ERASE SUSPEND operation, volatile/non-volatile configuration setting
- Additional reset pin for selected part numbers
- Erase performance: 400KB/sec (64KB sector), erase performance: 80KB/sec (4KB sub-sector)
- JESD47H-compliant: min, 100,000 ERASE cycles per sector, data retention: 20 years (TYP)
- 2.7 to 3.6V voltage rating, 64KB sectors, 4KB and 32KB subsectors
- 1Gb (128MB) density
- 8-pin W-PDFN package
- Operating temperature range from -40°C to +85°C
Spécifications techniques
Type de mémoire flash
NON-OU Série
Configuration mémoire
256M x 4bits
IC Boîtier/Paquet
WPDFN
Fréquence d'horloge Max.
133MHz
Tension, alimentation min.
2.7V
Tension d'alimentation nominale
3V
Température d'utilisation min
-40°C
Gamme de produit
3V Serial NOR Flash Memories
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Densité de mémoire
1Gbit
Interfaces
SPI
Nbre de broches
8Broche(s)
Temps d'accès
-
Tension d'alimentation Max.
3.6V
Montage CI
Montage en surface
Température d'utilisation Max.
85°C
MSL
MSL 3 - 168 heures
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :United States
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :United States
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85423269
US ECCN:3A991.b.1.a
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (17-Dec-2015)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000001