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MT25QL02GCBB8E12-0SIT
Mémoire Flash, NON-OU Série, 2 Gbit, 256M x 8 bits, SPI, TBGA, 24 Broche(s)
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FabricantMICRON
Réf. FabricantMT25QL02GCBB8E12-0SIT
Code Commande3577541
Gamme de produit3V Serial NOR Flash Memories
Fiche technique
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Informations produit
FabricantMICRON
Réf. FabricantMT25QL02GCBB8E12-0SIT
Code Commande3577541
Gamme de produit3V Serial NOR Flash Memories
Fiche technique
Type de mémoire flashNON-OU Série
Densité de mémoire2Gbit
Configuration mémoire256M x 8 bits
InterfacesSPI
IC Boîtier/PaquetTBGA
Nbre de broches24Broche(s)
Fréquence d'horloge Max.133MHz
Temps d'accès-
Tension, alimentation min.2.7V
Tension d'alimentation Max.3.6V
Tension d'alimentation nominale3V
Montage CIMontage en surface
Température d'utilisation min-40°C
Température d'utilisation Max.85°C
Gamme de produit3V Serial NOR Flash Memories
Aperçu du produit
Le MT25QL02GCBB8E12-0SIT est un périphérique de mémoire flash série, entrées/sorties multiples hautes performances. Il dispose d'une interface de bus compatible SPI haut débit, d'une fonctionnalité d'exécution sur place (XIP), de mécanismes avancés de protection en écriture et d'un accès aux adresses étendu Des commandes d'entrée/sortie doubles et quadruples innovantes et performantes permettent de doubler ou de quadrupler la bande passante de transfert pour les opérations de READ et de programmation.
- Appareil empilé (Quatre puces 512Mo), interface de bus série compatible SPI
- Commandes E/S doubles/quadruples pour un débit accru jusqu'à 90Mo/s
- Opérations de suspension de programme/effacement, broche de réinitialisation supplémentaire pour les références sélectionnées
- Conforme JESD47H, minimum 100 000 cycles ERASE par secteur, conservation des données: 20 ans (Typ.)
- Protocoles pris en charge dans STR et DTR, protocole d'E/S étendu, protocole d'E/S double, protocole d'E/S quadruple
- Modes d'adresse 3 octets et 4 octets: activez l'accès à la mémoire au-delà de 128Mo
- Tension nominale de 2,7 à 3,6V, densité de 2Go
- Taille de secteur de 64Ko, configuration des broches RESET# et HOLD#
- Boîtier TBGA24
- Température d'utilisation de -40°C à +85°C
Spécifications techniques
Type de mémoire flash
NON-OU Série
Configuration mémoire
256M x 8 bits
IC Boîtier/Paquet
TBGA
Fréquence d'horloge Max.
133MHz
Tension, alimentation min.
2.7V
Tension d'alimentation nominale
3V
Température d'utilisation min
-40°C
Gamme de produit
3V Serial NOR Flash Memories
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Densité de mémoire
2Gbit
Interfaces
SPI
Nbre de broches
24Broche(s)
Temps d'accès
-
Tension d'alimentation Max.
3.6V
Montage CI
Montage en surface
Température d'utilisation Max.
85°C
MSL
MSL 3 - 168 heures
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :United States
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :United States
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85423269
US ECCN:3A991.b.1.a
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (17-Dec-2015)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000907