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FabricantMICRON
Réf. FabricantMT29F2G08ABAEAH4-IT:E..
Code Commande3806222
Gamme de produit3.3V Parallel NAND Flash Memories
Fiche technique
364 En Stock
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Quantité | |
---|---|
1+ | 3,540 € |
10+ | 3,310 € |
25+ | 3,090 € |
50+ | 3,040 € |
100+ | 2,990 € |
250+ | 2,910 € |
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Informations produit
FabricantMICRON
Réf. FabricantMT29F2G08ABAEAH4-IT:E..
Code Commande3806222
Gamme de produit3.3V Parallel NAND Flash Memories
Fiche technique
Type de mémoire flashSLC NAND
Densité de mémoire2Gbit
Configuration mémoire256M x 8bit
Interfaces0
IC Boîtier/PaquetVFBGA
Nbre de broches63Broche(s)
Fréquence d'horloge Max.50MHz
Temps d'accès16ns
Tension, alimentation min.2.7V
Tension d'alimentation Max.3.6V
Tension d'alimentation nominale3.3V
Montage CISurface Mount
Température d'utilisation min-40°C
Température d'utilisation Max.85°C
Gamme de produit3.3V Parallel NAND Flash Memories
MSLMSL 3 - 168 hours
Spécifications techniques
Type de mémoire flash
SLC NAND
Configuration mémoire
256M x 8bit
IC Boîtier/Paquet
VFBGA
Fréquence d'horloge Max.
50MHz
Tension, alimentation min.
2.7V
Tension d'alimentation nominale
3.3V
Température d'utilisation min
-40°C
Gamme de produit
3.3V Parallel NAND Flash Memories
Densité de mémoire
2Gbit
Interfaces
0
Nbre de broches
63Broche(s)
Temps d'accès
16ns
Tension d'alimentation Max.
3.6V
Montage CI
Surface Mount
Température d'utilisation Max.
85°C
MSL
MSL 3 - 168 hours
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :United States
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :United States
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85423290
US ECCN:3A991.b.1.a
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.001464