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MT29F4G08ABAFAWP-AAT:F
Mémoire Flash, SLC NAND, 4 Gbit, 512M x 8 bits, Parallèle, TSOP, 48 Broche(s)
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FabricantMICRON
Réf. FabricantMT29F4G08ABAFAWP-AAT:F
Code Commande3861373
Gamme de produit3.3V Parallel NAND Flash Memories
Fiche technique
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Informations produit
FabricantMICRON
Réf. FabricantMT29F4G08ABAFAWP-AAT:F
Code Commande3861373
Gamme de produit3.3V Parallel NAND Flash Memories
Fiche technique
Type de mémoire flashSLC NAND
Densité de mémoire4Gbit
Configuration mémoire512M x 8 bits
InterfacesParallèle
IC Boîtier/PaquetTSOP
Nbre de broches48Broche(s)
Fréquence d'horloge Max.50MHz
Temps d'accès-
Tension, alimentation min.-
Tension d'alimentation Max.-
Tension d'alimentation nominale3.3V
Montage CIMontage en surface
Température d'utilisation min-40°C
Température d'utilisation Max.105°C
Gamme de produit3.3V Parallel NAND Flash Memories
Aperçu du produit
MT29F4G08ABAFAWP-AAT:F is a NAND flash memory. This NAND flash device includes an asynchronous data interface for high-performance I/O operations. This device uses a highly multiplexed 8-bit bus (I/Ox) to transfer commands, address, and data. A target is the unit of memory accessed by a chip enable signal. A target contains one or more NAND flash dies. A NAND flash die is the minimum unit that can independently execute commands and report status.
- Open NAND flash interface (ONFI) 1.0-compliant
- Single-level cell (SLC) technology
- Command set: ONFI NAND flash protocol
- Operation status method for detecting: operation completion
- Pass/fail condition, write-protect status
- Ready/Busy# (R/B#) signal provides a hardware method of detecting operation completion
- RESET (FFh) required after power-on
- Internal data move operations supported within the plane from which data is read
- 4Gb density, 8-bit device width, 3.3V (2.7 to 3.6V) operating voltage range
- 48-pin TSOP type 1 package, automotive temperature range from -40°C to +105°C
Spécifications techniques
Type de mémoire flash
SLC NAND
Configuration mémoire
512M x 8 bits
IC Boîtier/Paquet
TSOP
Fréquence d'horloge Max.
50MHz
Tension, alimentation min.
-
Tension d'alimentation nominale
3.3V
Température d'utilisation min
-40°C
Gamme de produit
3.3V Parallel NAND Flash Memories
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Densité de mémoire
4Gbit
Interfaces
Parallèle
Nbre de broches
48Broche(s)
Temps d'accès
-
Tension d'alimentation Max.
-
Montage CI
Montage en surface
Température d'utilisation Max.
105°C
MSL
MSL 3 - 168 heures
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Singapore
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Singapore
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85423290
US ECCN:3A991.b.1.a
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (17-Dec-2015)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000001