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Informations produit
Aperçu du produit
La MT42L32M32D1HE-18 AUT:D est une SDRAM LPDDR2. Il s'agit d'une mémoire SDRAM DDR2 mobile basse consommation (LPDDR2) de 1Go et CMOS haute vitesse, mémoire dynamique à accès aléatoire contenant 1 073 741 824 bits. Cette mémoire est configurée en interne comme une DRAM à huit banques Chacune des banques de 134 217 728 bits du x16 sont organisées en 8192 lignes sur 1024 colonnes sur 16 bits. Chacune des banques de 134 217 728 bits du x32 sont organisées en 8192 lignes sur 512 colonnes sur 32 bits. Il dispose d'entrées de commande/adresse multiplexées à double débit de données ; commandes entrées sur chaque front CK Il dispose d'un stroboscope de données bidirectionnel/différentiel par octet de données (DQS/DQS#), de latences de lecture et d'écriture programmables (RL/WL).
- Plage de tension d'utilisation de 1,2V
- Configuration 32Meg x 32, certifiée automobile
- Boîtier FBGA 134 billes, 10mm x 11,5mm
- Le temps de cycle est de 1,875ns, ᵗCK RL = 8, LPDDR2, adressage 1die
- Température d'utilisation de -40°C à +125°C, Quatrième génération
- La fréquence d'horloge est de 533 MHz, le débit de données par est de 1066Mo/s/broche
- Noyau ultra basse tension et alimentations d'E/S, architecture DDR de prélecture à quatre bits
- Huit banques internes pour un fonctionnement simultané, rafraîchissement par banque pour un fonctionnement simultané
- Auto-actualisation partielle de la matrice (PASR), mode de mise hors tension profonde (DPD)
- Force d'entraînement de sortie sélectionnable (DS), capacité d'arrêt d'horloge
Spécifications techniques
Mobile LPDDR2
32M x 32bits
VFBGA
1.2V
-40°C
-
1Gbit
533MHz
134Broche(s)
Montage en surface
125°C
No SVHC (17-Dec-2015)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Taiwan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
RoHS
RoHS
Certificat de conformité du produit