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MT53E256M16D1DS-046 AAT:B
DRAM, Mobile LPDDR4, 4 Gbit, 256M x 16bits, 2.133 GHz, WFBGA, 200 Broche(s)
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Informations produit
FabricantMICRON
Réf. FabricantMT53E256M16D1DS-046 AAT:B
Code Commande4723253
Fiche technique
Type DRAMMobile LPDDR4
Densité de mémoire4Gbit
Configuration mémoire256M x 16bits
Fréquence d'horloge Max.2.133GHz
IC Boîtier/PaquetWFBGA
Nbre de broches200Broche(s)
Tension d'alimentation nominale1.1V
Montage CIMontage en surface
Température d'utilisation min-40°C
Température d'utilisation Max.105°C
Gamme de produit-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Type DRAM
Mobile LPDDR4
Configuration mémoire
256M x 16bits
IC Boîtier/Paquet
WFBGA
Tension d'alimentation nominale
1.1V
Température d'utilisation min
-40°C
Gamme de produit
-
Densité de mémoire
4Gbit
Fréquence d'horloge Max.
2.133GHz
Nbre de broches
200Broche(s)
Montage CI
Montage en surface
Température d'utilisation Max.
105°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Taiwan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Taiwan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85423239
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000001