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MT53E2G64D8TN-046 WT:A
DRAM, LPDDR4, 128 Gbit, 2G x 64 bits, 2.133 GHz, LFBGA, 556 Broche(s)
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Informations produit
FabricantMICRON
Réf. FabricantMT53E2G64D8TN-046 WT:A
Code Commande3652202
Fiche technique
Type DRAMLPDDR4
Densité de mémoire128Gbit
Configuration mémoire2G x 64 bits
Fréquence d'horloge Max.2.133GHz
IC Boîtier/PaquetLFBGA
Nbre de broches556Broche(s)
Tension d'alimentation nominale1.1V
Montage CIMontage en surface
Température d'utilisation min-25°C
Température d'utilisation Max.85°C
Gamme de produit-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Produits de remplacement pour MT53E2G64D8TN-046 WT:A
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Aperçu du produit
MT53E2G64D8TN-046 WT:A est une DRAM LPDDR4. Il a une densité de mémoire de 64Go.
- Configuration de mémoire 2G x 64 bits, montage en surface
- Fréquence d'horloge maximale de 2,133GHz
- Boîtier LFBGA 556 broches
- Tension d'alimentation nominale 1,1V
- Température d'utilisation de -25°C à 85°C
Spécifications techniques
Type DRAM
LPDDR4
Configuration mémoire
2G x 64 bits
IC Boîtier/Paquet
LFBGA
Tension d'alimentation nominale
1.1V
Température d'utilisation min
-25°C
Gamme de produit
-
Densité de mémoire
128Gbit
Fréquence d'horloge Max.
2.133GHz
Nbre de broches
556Broche(s)
Montage CI
Montage en surface
Température d'utilisation Max.
85°C
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Singapore
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Singapore
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85423239
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (17-Dec-2015)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.002268