Imprimer la page
Ces images sont uniquement fournies à titre d'illustration. Veuillez consulter la description du produit.
Disponible sur commande
Contactez-moi quand le produit sera à nouveau en stock
| Quantité | |
|---|---|
| 1+ | 38,690 € |
| 5+ | 37,250 € |
| 10+ | 35,810 € |
| 25+ | 34,670 € |
| 50+ | 33,810 € |
Prix pour :Pièce
Minimum: 1
Multiple: 1
38,69 € (sans TVA)
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantMICRON
Réf. FabricantMT53E512M32D1ZW-046 IT:B
Code Commande3954471
Fiche technique
Type DRAMMobile LPDDR4
Densité de mémoire16Gbit
Configuration mémoire512M x 32bits
Fréquence d'horloge Max.2.133GHz
IC Boîtier/PaquetTFBGA
Nbre de broches200Broche(s)
Tension d'alimentation nominale1.1V
Montage CIMontage en surface
Température d'utilisation min-40°C
Température d'utilisation Max.95°C
Gamme de produit-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Aperçu du produit
MT53E512M32D1 is a 16Gb mobile low-power DDR4 SDRAM with low VDDQ (LPDDR4X) high-speed, CMOS dynamic random-access memory device. This device is internally configured with 2 channels or 1 channel ×16 I/O, each channel having 8-banks.
- 16n prefetch DDR architecture, 8 internal banks per channel for concurrent operation
- Single-data-rate CMD/ADR entry, bidirectional/differential data strobe per byte lane
- Programmable READ and WRITE latencies (RL/WL), programmable VSS (ODT) termination
- Directed per-bank refresh for concurrent bank operation and ease of command scheduling
- On-chip temperature sensor to control self refresh rate, partial-array self refresh (PASR)
- Selectable output drive strength (DS), clock-stop capability, single-ended CK and DQS support
- 1.10V VDD2 / 0.60V VDDQ or 1.10V VDDQ operating voltage
- 512 Meg x 32 configuration, LPDDR4, 1 die addressing
- 200-ball TFBGA (Ø0.40 SMD) package, 468ps cycle time
- Operating temperature rating range from -40°C to +95°C
Spécifications techniques
Type DRAM
Mobile LPDDR4
Configuration mémoire
512M x 32bits
IC Boîtier/Paquet
TFBGA
Tension d'alimentation nominale
1.1V
Température d'utilisation min
-40°C
Gamme de produit
-
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Densité de mémoire
16Gbit
Fréquence d'horloge Max.
2.133GHz
Nbre de broches
200Broche(s)
Montage CI
Montage en surface
Température d'utilisation Max.
95°C
MSL
MSL 3 - 168 heures
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Taiwan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Taiwan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85423239
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (17-Dec-2015)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000001