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BC847BQC-QZ
Transistor simple bipolaire (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Montage en surface
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FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantBC847BQC-QZ
Code Commande3783990
Gamme de produitBC847xQC-Q
Fiche technique
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| Quantité | |
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| 5+ | 0,225 € |
| 10+ | 0,156 € |
| 100+ | 0,0987 € |
| 500+ | 0,0566 € |
| 1000+ | 0,047 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
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Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantBC847BQC-QZ
Code Commande3783990
Gamme de produitBC847xQC-Q
Fiche technique
Polarité transistorNPN
Tension Collecteur Emetteur Max45V
Courant Collecteur Continu100mA
Dissipation de puissance450mW
Type de boîtier de transistorDFN1412D
Montage transistorMontage en surface
Nbre de broches3Broche(s)
Fréquence de transition100MHz
Gain de courant DC hFE Min.200hFE
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitBC847xQC-Q
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Polarité transistor
NPN
Courant Collecteur Continu
100mA
Type de boîtier de transistor
DFN1412D
Nbre de broches
3Broche(s)
Gain de courant DC hFE Min.
200hFE
Gamme de produit
BC847xQC-Q
MSL
MSL 1 - Illimité
Tension Collecteur Emetteur Max
45V
Dissipation de puissance
450mW
Montage transistor
Montage en surface
Fréquence de transition
100MHz
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000033
Traçabilité des produits