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Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantBSP52,115
Code Commande1757926
Fiche technique
Polarité transistorNPN
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo80V
Dissipation de puissance Pd1.25W
Courant de collecteur DC1A
Boîtier de transistor RFSOT-223
Nombre de broches3Broche(s)
Gain en courant DC hFE2000hFE
Montage transistorMontage en surface
Température de fonctionnement max..150°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
Le BSP52,115 est un transistor NPN Darlington en boîtier plastique. Il convient pour une utilisation avec des amplificateurs industriels à gain élevé.
- Courant élevé
- Basse tension
- Diode et résistance intégrées
- Les compléments PNP sont les BSP60, BSP61 et BSP62
Spécifications techniques
Polarité transistor
NPN
Dissipation de puissance Pd
1.25W
Boîtier de transistor RF
SOT-223
Gain en courant DC hFE
2000hFE
Température de fonctionnement max..
150°C
Qualification
-
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo
80V
Courant de collecteur DC
1A
Nombre de broches
3Broche(s)
Montage transistor
Montage en surface
Gamme de produit
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour BSP52,115
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000408
Traçabilité des produits