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GAN039-650NBBHP

Name: Transistor Nitrure de gallium (GaN), 650 V, 58.5 A, 0.039 ohm, 26 nC, SOT-8000
Brand: NEXPERIA
SKU: 4313177
Availability: BackOrder

Transistor Nitrure de gallium (GaN), 650 V, 58.5 A, 0.039 ohm, 26 nC, SOT-8000

Date/Lot Code

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FabricantNEXPERIA

Réf. FabricantGAN039-650NBBHP

Code Commande4313177

Fiche technique

Data Sheet

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Quantité
1+	14,410 €
5+	13,440 €
10+	12,460 €
50+	11,490 €
100+	10,520 €
250+	10,370 €

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Informations produit

FabricantNEXPERIA

Réf. FabricantGAN039-650NBBHP

Code Commande4313177

Fiche technique

Data Sheet

Tension Vds max..650V

Courant de drain Id58.5A

Résistance Drain-Source à l'état-ON0.039ohm

Charge de porte Typique26nC

Type de boîtier de transistorSOT-8000

Montage transistorMontage en surface

Nombre de broches12Broche(s)

Gamme de produit-

Qualification-

SVHCLead (21-Jan-2025)

Spécifications techniques

Tension Vds max..

650V

Résistance Drain-Source à l'état-ON

0.039ohm

Type de boîtier de transistor

SOT-8000

Nombre de broches

12Broche(s)

Qualification

Courant de drain Id

58.5A

Charge de porte Typique

26nC

Montage transistor

Montage en surface

Gamme de produit

SVHC

Lead (21-Jan-2025)

Documents techniques (1)

Technical Data Sheet EN

Législation et Questions environnementales

Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue

N° de tarif :85412900

US ECCN:EAR99

EU ECCN:NLR

Conforme RoHS :Y-Ex

RoHS

Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui

RoHS

SVHC :Lead (21-Jan-2025)

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Certificat de conformité du produit

Poids (kg) :.1

Traçabilité des produits