Imprimer la page
Ces images sont uniquement fournies à titre d'illustration. Veuillez consulter la description du produit.
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 54 semaine(s)
Contactez-moi quand le produit sera à nouveau en stock
| Quantité | |
|---|---|
| 100+ | 0,296 € |
| 500+ | 0,257 € |
| 1000+ | 0,227 € |
| 5000+ | 0,209 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 100
Multiple: 5
34,60 € (sans TVA)
Des frais de mise en bobine de 5,00 € seront appliqués pour ce produit
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantPMDPB30XNZ
Code Commande3268034RL
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain Source Vds, Canal N20V
Tension Drain-Source Vds20V
Tension drain source Vds, Canal P20V
Courant de drain Id4A
Courant de drain continu Id, Canal N4A
Courant de drain continu Id, Canal P4A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N0.04ohm
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P-
Type de boîtier de transistorDFN2020
Nbre de broches6Broche(s)
Dissipation de puissance Canal P490mW
Dissipation de puissance, Canal P490mW
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
Avertissements
La forte demande du marché pour ce produit, entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent varier. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Tension Drain-Source Vds
20V
Courant de drain Id
4A
Courant de drain continu Id, Canal P
4A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P
-
Nbre de broches
6Broche(s)
Dissipation de puissance, Canal P
490mW
Gamme de produit
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Tension Drain Source Vds, Canal N
20V
Tension drain source Vds, Canal P
20V
Courant de drain continu Id, Canal N
4A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N
0.04ohm
Type de boîtier de transistor
DFN2020
Dissipation de puissance Canal P
490mW
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000007