Imprimer la page
PMGD290XN,115
MOSFET double, Canal N, 20 V, 200 mA, 0.29 ohm
Ces images sont uniquement fournies à titre d'illustration. Veuillez consulter la description du produit.
79.938 En Stock
Vous en voulez davantage ?
.
.
Livraison standard GRATUITE
pour les commandes de 0,00 € et plus
Les délais de livraison exacts seront calculés lors du paiement
| Quantité | |
|---|---|
| 5+ | 0,410 € |
| 10+ | 0,248 € |
| 100+ | 0,136 € |
| 500+ | 0,126 € |
| 1000+ | 0,117 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 5
Multiple: 5
2,05 € (sans TVA)
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantPMGD290XN,115
Code Commande1758099
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain Source Vds, Canal N20V
Tension drain source Vds, Canal P-
Courant de drain continu Id, Canal N200mA
Courant de drain continu Id, Canal P-
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N0.29ohm
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P-
Type de boîtier de transistorSOT-363
Nbre de broches6Broche(s)
Dissipation de puissance Canal P410mW
Dissipation de puissance, Canal P-
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
Le PMGD290XN, 115 est un FET à mode d'amélioration double canal N, dans un boîtier en plastique, montage en surface utilisant la technologie TrenchMOS™. Il convient aux circuits de commande et à la commutation dans les applications d'appareils portables. Le composant offre un encombrement réduit de 40%.
- Vitesse de commutation rapide
- Faible résistance à l'état ON
- Seuil de tension bas
Avertissements
La forte demande du marché pour ce produit, entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent varier. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Tension drain source Vds, Canal P
-
Courant de drain continu Id, Canal P
-
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P
-
Nbre de broches
6Broche(s)
Dissipation de puissance, Canal P
-
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Tension Drain Source Vds, Canal N
20V
Courant de drain continu Id, Canal N
200mA
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N
0.29ohm
Type de boîtier de transistor
SOT-363
Dissipation de puissance Canal P
410mW
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000006
Traçabilité des produits