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PMV55ENEAR
MOSFET de puissance, Canal N, 60 V, 3.1 A, 0.06 ohm, TO-236AB, Montage en surface
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| 100+ | 0,221 € |
| 500+ | 0,190 € |
| 1000+ | 0,155 € |
| 5000+ | 0,152 € |
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Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantPMV55ENEAR
Code Commande2628094
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds60V
Courant de drain Id3.1A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.06ohm
Type de boîtier de transistorTO-236AB
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max1.7V
Dissipation de puissance478mW
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
PMV55ENEAR is a N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. Typical applications include relay driver, high-speed line driver, low-side load switch, and switching circuits.
- Logic level compatible, very fast switching
- ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2kV HBM
- AEC-Q101 qualified
- Drain-source voltage is 60V max at Tj = 25°C
- Gate-source voltage is 20V maximum
- Drain current is 3.1A maximum at VGS = 10V; Tamb = 25°C
- Peak drain current is 12.6A max at Tamb = 25°C; single pulse; tp ≤ 10µs
- Total power dissipation is 478mW max at Tamb = 25°C
- Source current is 1.3A max at Tamb = 25°C
- Ambient temperature range from -55 to 150°C
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
3.1A
Type de boîtier de transistor
TO-236AB
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
478mW
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Tension Drain-Source Vds
60V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.06ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
1.7V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000009
Traçabilité des produits