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PSMN045-100HLX
MOSFET double, Canal N, 100 V, 100 V, 21 A, 21 A, 0.0383 ohm
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| 10+ | 1,100 € |
| 100+ | 0,913 € |
| 500+ | 0,727 € |
| 1000+ | 0,661 € |
| 5000+ | 0,595 € |
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Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantPSMN045-100HLX
Code Commande4078667
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain Source Vds, Canal N100V
Tension drain source Vds, Canal P100V
Courant de drain continu Id, Canal N21A
Courant de drain continu Id, Canal P21A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N0.0383ohm
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P0.0383ohm
Type de boîtier de transistorLFPAK56D
Nbre de broches8Broche(s)
Dissipation de puissance Canal P53W
Dissipation de puissance, Canal P53W
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Tension drain source Vds, Canal P
100V
Courant de drain continu Id, Canal P
21A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P
0.0383ohm
Nbre de broches
8Broche(s)
Dissipation de puissance, Canal P
53W
Gamme de produit
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Tension Drain Source Vds, Canal N
100V
Courant de drain continu Id, Canal N
21A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N
0.0383ohm
Type de boîtier de transistor
LFPAK56D
Dissipation de puissance Canal P
53W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000272
Traçabilité des produits