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AFT20S015GNR1
Transistor FET RF, 65 V, 11 W, 1.805 GHz, 2.7 GHz, TO-270G
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FabricantNXP
Réf. FabricantAFT20S015GNR1
Code Commande2890592
Gamme de produitAFT20S015GN
Fiche technique
201 En Stock
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| Quantité | |
|---|---|
| 1+ | 24,800 € |
| 5+ | 24,350 € |
| 10+ | 23,890 € |
| 50+ | 21,970 € |
| 100+ | 21,530 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 1
Multiple: 1
24,80 € (sans TVA)
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Informations produit
FabricantNXP
Réf. FabricantAFT20S015GNR1
Code Commande2890592
Gamme de produitAFT20S015GN
Fiche technique
Tension Vds max..65V
Courant de drain Id-
Dissipation de puissance11W
Fréquence, fonctionnement min.1.805GHz
Fréquence, fonctionnement max..2.7GHz
Type de boîtier de transistorTO-270G
Nombre de broches2Broche(s)
Température de fonctionnement max..150°C
Type de canalCanal N
Montage transistorMontage en surface
Gamme de produitAFT20S015GN
MSLMSL 3 - 168 heures
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
- N channel enhancement mode Lateral MOSFET, RF power LDMOS transistor
- Greater negative gate--source voltage range for improved Class C operation
- Designed for digital predistortion error correction systems
- Optimized for doherty applications
- 17.6dB typical power gain (VDD = 28VDC, IDQ = 132mA, Pout = 1.5W, TA = 25°C)
- Drain efficiency is 22.0% typical (VDD = 28VDC, IDQ = 132mA, Pout = 1.5W, TA = 25°C)
- Adjacent channel power ratio is -44.0dBc typical (VDD = 28VDC, IDQ = 132mA, Pout = 1.5W, TA = 25°C)
- Typical input return loss is -14dB (VDD = 28VDC, IDQ = 132mA, Pout = 1.5W, TA = 25°C)
- 0.05dB typical gain flatness in 60MHz bandwidth (at Pout = 1.5W Avg.)
- 2 bit TO--270G package, operating junction temperature range from -40°C to +225°C
Spécifications techniques
Tension Vds max..
65V
Dissipation de puissance
11W
Fréquence, fonctionnement max..
2.7GHz
Nombre de broches
2Broche(s)
Type de canal
Canal N
Gamme de produit
AFT20S015GN
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Courant de drain Id
-
Fréquence, fonctionnement min.
1.805GHz
Type de boîtier de transistor
TO-270G
Température de fonctionnement max..
150°C
Montage transistor
Montage en surface
MSL
MSL 3 - 168 heures
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :United States
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :United States
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0003
Traçabilité des produits