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AFT27S010NT1
Transistor FET RF, 65 V, 728 MHz, 3600 MHz, PLD-1.5W
Ces images sont uniquement fournies à titre d'illustration. Veuillez consulter la description du produit.
Informations produit
FabricantNXP
Réf. FabricantAFT27S010NT1
Code Commande2890594
Gamme de produitAFT27S010N
Fiche technique
Tension Drain-Source Vds65V
Courant de drain Id-
Dissipation de puissance-
Fréquence d'utilisation Min.728MHz
Fréquence d'utilisation Max.3600MHz
Type de boîtier de transistorPLD-1.5W
Nbre de broches2Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Type de canalCanal N
Montage transistorMontage en surface
Gamme de produitAFT27S010N
MSLMSL 3 - 168 heures
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Tension Drain-Source Vds
65V
Dissipation de puissance
-
Fréquence d'utilisation Max.
3600MHz
Nbre de broches
2Broche(s)
Type de canal
Canal N
Gamme de produit
AFT27S010N
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Courant de drain Id
-
Fréquence d'utilisation Min.
728MHz
Type de boîtier de transistor
PLD-1.5W
Température d'utilisation Max.
150°C
Montage transistor
Montage en surface
MSL
MSL 3 - 168 heures
Documents techniques (4)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.001361