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MRF24G300HSR5
Transistor Nitrure de gallium (GaN), GaN, 125 V, NI-780S
Ces images sont uniquement fournies à titre d'illustration. Veuillez consulter la description du produit.
Informations produit
FabricantNXP
Réf. FabricantMRF24G300HSR5
Code Commande3280902
Fiche technique
Tension Vds max..125V
Courant de drain Id-
Résistance Drain-Source à l'état-ON-
Charge de porte Typique-
Type de boîtier de transistorNI-780S
Nombre de broches4Broche(s)
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Aperçu du produit
Avertissements
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Spécifications techniques
Tension Vds max..
125V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
-
Type de boîtier de transistor
NI-780S
Gamme de produit
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Courant de drain Id
-
Charge de porte Typique
-
Nombre de broches
4Broche(s)
Qualification
-
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2018)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.2